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考試科目名稱：半導(dǎo)體物理

科目代碼：846

一、物理基礎(chǔ)

1. 晶體中原子的結(jié)合。

2. 晶體結(jié)構(gòu)與對稱性。

3. 常見晶體結(jié)構(gòu)。

4. 晶格振動與聲子。

5. 光學(xué)聲子與聲學(xué)聲子。

二、半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)

1. 能帶的形成。

2. 導(dǎo)帶、價帶、禁帶及禁帶寬度。

3. 材料的導(dǎo)電性能與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系。

4. 直接帶隙與間接帶隙。

5. 導(dǎo)帶電子與價帶空穴，載流子。

6. 電子與空穴的有效質(zhì)量。

7. 施主與受主，類氫原子近似。

8. P型、N型和本征半導(dǎo)體材料的特點。

9. 雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。

三、半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能

1. 外場下半導(dǎo)體材料中載流子的運動形式。

2. 半導(dǎo)體材料的遷移率與電導(dǎo)率。

3. 半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨溫度的變化。

4. 半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨雜質(zhì)濃度的變化。

5. 半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)與非平衡載流子。

6. 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)。

7. 半導(dǎo)體材料的熱電現(xiàn)象。

四、半導(dǎo)體器件

1. PN結(jié)的結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能，I-V曲線。

2. MOS器件的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點。

3. 雙極型三極管的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點

4. 發(fā)光二極管的工作原理。

5. 太陽能電池的工作原理。

6. 半導(dǎo)體溫度傳感器的工作原理。

五、半導(dǎo)體材料分析測試技術(shù)

1. 半導(dǎo)體材料禁帶寬度的測量方法。

2. 半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)電離能的測量。

3. 半導(dǎo)體材料載流子濃度的測量方法。

4. 半導(dǎo)體材料電阻率的測量。

5. 半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的測量方法。

6. 半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子壽命的測量方法。

參考書目：《半導(dǎo)體物理》(第1版)，季振國編，浙江大學(xué)出版社，2005.9